C-Flat firmy Protochips to ultrapłaskie siatki z pokryciem Holey Carbon, idealnie pasujące do cryo-EM. Nadają się do użytku bez dodatkowego czyszczenia i przygotowywania. Siatki te są zdefiniowane przez aż 4 parametry: średnicę otworu, odległość między otworami, rodzaj materiału oraz gęstość siatki. Standardowa grubość pokrycia węglowego wynosi 20nm, a warianty z warstwą pogrubioną mają pokrycie 40nm.

Dostępne warianty:

• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 200 mesh, opak. 25 sztuk
• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 200 mesh, opak. 50 sztuk
• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 200 mesh, opak. 100 sztuk
• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 300 mesh, opak. 25 sztuk
• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 300 mesh, opak. 50 sztuk
• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 300 mesh, opak. 100 sztuk
• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 400 mesh, opak. 25 sztuk
• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 400 mesh, opak. 50 sztuk
• siatki C-Flat: miedziane, średnica otworu 1,2μm, pokrycie 20nm, odległość pomiędzy otworami 1,3μm, 400 mesh, opak. 100 sztuk